2021年10月10日，由全国纳标委低维纳米结构与性能工作组和中国科学院半导体研究所联合主办的第四届低维材料应用与标准研讨会（LDMAS2021）在北京圆满落幕。中国科学院半导体研究所所长谭平恒研究员、南京邮电大学副校长汪联辉教授、南京邮电大学马延文教授、西安电子科技大学校长助理张进成教授和东南大学青年首席教授倪振华等专家代表参加了本次会议大会报告下半场和闭幕式。

　　下午，大会报告进行下半场。西安电子科技大学校长助理张进成教授和东南大学青年首席教授倪振华两位专家带来精彩主题报告。下半场大会报告由南京邮电大学马延文教授主持。

　　二维材料拥有高载流子迁移率、高热导率、高杨氏模量、高比表面积和高透光率等优异的物理化学性质，在信息科学、凝聚态物理、材料化学等方面展示出巨大的应用潜力。宽禁带半导体氮化镓与二维材料构成的混合维度异质结形成了丰富的异质结构，在整流器件、压电光电探测器件等领域展现了丰富的应用前景。

　　张进成教授首先介绍了大面积高质量二维石墨烯薄膜的生长制备、机理探究和洁净转移等方面的研究成果，实现了毫米级铜箔上大尺寸单晶石墨烯及高质量 SiC 上单晶石墨烯制备，为石墨烯基材料运用和器件制备奠定了良好基础。其次，基于类石墨烯二维材料上范德华外延宽禁带半导体氮化镓薄膜，将突破现有衬底对半导体器件性能的限制，实现不依赖外延关系的衬底选择，研制出低位错密度柔性GaN外延材料，并完成了大面积、低损伤剥离转移。进一步，介绍了氮化物半导体/二维材料的载流子注入效率的影响因素，扭转角对界面耦合的调控机制，分析了宽禁带氮化物对二维材料的带隙调控新机理，为新原理半导体异质结器件提供了理论基础。最后，介绍了氮化镓宽禁带半导体异质结构的最新进展，通过背势垒和势阱调控，显著增强了氮化镓异质结构二维电子气的高温特性和线性特性。

　　低维半导体（如二维材料等）具有独特的电子结构、新颖的物理性质、低温异质集成等特点，已成为新型电子、光电子器件的理想材料。其中，缺陷与表界面态问题是影响材料与器件性能以及低维异质集成的关键因素。在报告中，倪振华介绍了课题组近年来在低维半导体缺陷与表界面态表征和调控方面的研究进展，包括：利用光谱学手段实现微量缺陷的精确、原位表征，以及对载流子动力学的影响机制分析；通过超低密度等离子体改性技术，实现二维材料发光量子效率提升、单原子层无损刻蚀、离子插层、结构相变等精准调控；提出了界面态束缚与光增益机制，实现了兼具快速与高灵敏特性的硅基-石墨烯异质集成光电探测器，并且具备光强、位置、轨迹等多参量探测功能。

　　报告结束后，大会特别设置了“优秀报告奖”及“优秀墙报奖”闭幕颁奖仪式。本环节由东南大学青年首席教授倪振华主持，南京邮电大学副校长汪联辉教授和西安电子科技大学

　　至此，第四届低维材料应用与标准研讨会（LDMAS2021）圆满落幕。据悉，LDMAS2022将由南京大学和中科院苏州纳米所共同承办，2022年，我们一起相约苏州！

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