近日，浙江省2022年度第二批“尖兵”研发攻关计划项目立项公示结束，浙江大学杭州国际科创中心（以下简称浙大科创）《碳化硅半导体芯片及其应用技术研发》项目入选“尖兵”计划，这是继《高质量直径150 mm碳化硅单晶衬底晶圆技术开发》后，浙大科创入选省“尖兵”计划的又一重大攻关项目。

　　众所周知，碳化硅功率器件在电动汽车、太阳能和风能发电等领域有着广泛的应用前景。随着碳达峰、碳中和目标的提出，应用碳化硅功率器件降低电动汽车电机驱动控制系统的能耗、缩减散热系统、提高汽车续航能力，成为国内外电动汽车行业争相布局的热点技术方向。

　　然而，碳化硅功率开关器件的代表——金属氧化物半导体场效应晶体管技术目前还不够成熟，栅氧界面态密度较高，沟道迁移率较低，导致沟道电阻过高，栅极阈值电压存在漂移现象，器件长期工作稳定性和可靠性达不到车规级应用的要求，从而阻碍了碳化硅功率器件在新能源电动汽车领域的大规模应用。

　　浙大科创团队正是瞄准这一技术瓶颈开展攻关，通过研究栅氧界面态形成机理、研发栅氧工艺关键技术、研究碳化硅双面散热模块封装技术、开发高功率密度变流器，为碳化硅功率器件及模块在电动汽车电机驱动控制系统中的大规模应用提供支撑，从而推进我国新能源汽车行业快速发展，为实现“双碳”目标贡献科创力量。

　　该项目由浙大科创先进半导体研究院院长盛况教授领衔，功率芯片研究室青年人才任娜研究员为项目主要参与人。该项目的研究成果，将有力地推动浙江省在第三代宽禁带半导体功率芯片及模块封装和应用技术领域的迅速发展。

　　先进半导体研究院功率芯片研究室围绕国家重大战略需求和浙江省战略性新兴产业发展布局，以宽禁带半导体材料、功率芯片的研发与产业化为核心，以封装测试和应用技术作为服务支撑，重点突破宽禁带半导体材料生长、宽禁带半导体功率芯片的新型结构设计、先进工艺技术开发等关键技术瓶颈，解决一批半导体领域的“卡脖子”技术难题，推动半导体材料、芯片、集成封测产业化技术的快速发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。

　　浙江省为打好关键核心技术攻坚战，实施尖峰、尖兵、领雁、领航四大计划。其中，“尖兵”计划以实现技术安全自主可控为目标，按照“急用先行、重点突破”的原则，主要聚焦智能网联汽车、射频芯片、碳捕集利用和封存、脑机融合等重点领域，每年实施100项左右相对短期、小切口的重大攻关项目，通过“揭榜挂帅”等模式，着力攻克一批关键核心技术，强化科技自立自强，支撑浙江省高水平创新型省份和科技强省建设。返回搜狐，查看更多